Didelio grynumo silicio karbido milteliai

Naudojama kaip pagrindinė medžiaga 6–12 colių SiC monokristaliniams substratams ir epitaksiniams sluoksniams, naudojamiems gaminant maitinimo įrenginius, tokius kaip pagrindinės pavaros keitikliai naujoms energijos transporto priemonėms, 5G bazinės stoties RF komponentai ir fotovoltiniai inverteriai. Dėl plataus dažnių diapazono savybių padidėja įrenginio atsparumas aukštai temperatūrai ir įtampai, tuo pačiu sumažinant energijos sąnaudas daugiau nei 30%.

Naudojamas SiC keraminiams tigiams ir{0}}dėvėjimui atspariems keramikos komponentams gaminti. Dėl didelio kietumo ir šiluminio stabilumo jis tinka naudoti, pvz., puslaidininkinių plokštelių tvarkymui ir kosmoso aukštoje -temperatūroje naudojamoms konstrukcijų dalims, prailgindamas tarnavimo laiką daugiau nei 5 kartus, palyginti su tradicine keramika.

Naudojamas kaip itin{0}}kietas abrazyvas, skirtas tiksliai poliruoti optinio stiklo ir safyro pagrindus; Formuojamos šilumai laidžios dangos elektroninių prietaisų šilumos išsklaidymo moduliams, pasiekiančios 2-3 kartus didesnį šilumos laidumą nei įprastos dangos.

Naudojamas ličio{0}}jonų akumuliatoriaus anodo medžiagoms modifikuoti ir kuro elementų dvipolių plokštelių padengimui, siekiant padidinti akumuliatoriaus ciklą ir elektros / šilumos laidumą. Tinka naudoti aukščiausios klasės- naujose energijos transporto priemonėse ir energijos kaupimo elektrinėse.